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AF8958CSA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AF8958CSA
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内容描述: P& N通道30 -V (D -S )的MOSFET [P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 156 K
品牌: ANACHIP [ ANACHIP CORP ]
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AF8958C
P & N通道30 -V (D -S )的MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
漏源电压
30
栅源电压
20
T
A
=25ºC
7
连续漏电流
(注1 )
T
A
=70ºC
5.6
漏电流脉冲
(注2 )
20
连续源电流(二极管传导)
(注1 )
1.3
T
A
=25ºC
2.1
功耗
(注1 )
1.3
T
A
=70ºC
工作结存储温度范围
-
参数
P沟道
-30
-20
-5.2
-6.8
-20
-1.3
2.1
1.3
-55到150
单位
V
A
A
A
W
ºC
热电阻额定值
符号
R
θJC
R
θJA
参数
最大结到外壳
(注1 )
最大结点到环境
(注1 )
t
& LT ;
5秒
t
& LT ;
5秒
最大
40
60
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
注1 :
表面装在1 “×1” FR4板。
注2 :
脉冲宽度有限的最高结温
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
STATIC
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
(注3)
漏源导通电阻
(注3)
参数
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=5V, V
GS
=10V
V
DS
=-5V, V
GS
=-10V
V
GS
= 10V ,我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
GS
= -10V ,我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4A
V
DS
= 15V ,我
D
=7A
V
DS
= -15V ,我
D
=-5A
Ch
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
范围
分钟。
典型值。
30
-30
1
-1.0
-
-
-
-
20
-20
-
-
-
-
-
-
-
-
1.95
-1.7
-
-
-
-
-
-
19
24
42
65
25
10
马克斯。
-
-
3
-3
±100
±100
1
-1
-
-
28
40
52
80
-
-
单位
V
V
nA
uA
A
mΩ
转发Tranconductance
(注3)
S
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
2/4
1.0版2004年7月16日