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    AF9903MSA 参数 Datasheet PDF下载

    AF9903MSA图片预览
    型号： AF9903MSA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Transistor,]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 800 K
    品牌： ANACHIP [ ANACHIP CORP ]
     浏览型号AF9903MSA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AF9903MSA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AF9903MSA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AF9903MSA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AF9903MSA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AF9903MSA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AF9903MSA的Datasheet PDF文件第8页  
    AF9903M
    2N和2P沟道增强型功率MOSFET
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    （注1 ）
    漏电流脉冲
    （注2 ）
    总功耗
    线性降额因子
    存储温度范围
    工作结温范围
    N沟道P沟道
    35
    -35
    ±20
    ±20
    T
    A
    =25ºC
    4.3
    -3.6
    T
    A
    =70ºC
    3.4
    -2.8
    20
    -20
    T
    A
    =25ºC
    1.38
    0.01
    -55到150
    -55到150
    单位
    V
    A
    A
    W
    W / ℃，
    ºC
    ºC
    热数据
    符号
    R
    θJA
    参数
    热阻结到环境
    （注1 ）
    马克斯。
    价值
    90
    单位
    摄氏度/ W
    电气特性
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有说明）
    符号
    BV
    DSS
    参数
    漏源击穿电压
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =-250uA
    参考25 ºC ，
    ΔBV
    DSS
    / Δ击穿电压温度我
    D
    =1mA
    系数
    T
    J
    参考25 ºC ，
    I
    D
    =-1mA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =4A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =3A
    静态漏源
    R
    DS （ ON）
    导通电阻
    （注3）
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-3A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    =-2A
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    GS （ TH）
    栅极阈值电压
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    =-250uA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    =4A
    g
    fs
    正向跨导
    V
    DS
    = -10V ，我
    D
    =-3A
    T
    J
    = 25°C V
    DS
    =30V, V
    GS
    =0V
    漏源漏牛逼
    J
    = 70ºC V
    DS
    =24V, V
    GS
    =0V
    I
    DSS
    当前
    T
    J
    = 25°C V
    DS
    =-30V, V
    GS
    =0V
    T
    J
    = 70ºC V
    DS
    =-24V, V
    GS
    =0V
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    栅源漏
    总栅极电荷
    （注3）
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ “米勒” ）费
    V
    GS
    =±20V
    N沟道
    V
    DS
    =28V, V
    GS
    =4.5V
    I
    D
    =4A
    P沟道
    V
    DS
    =-28V, V
    GS
    =-4.5V
    I
    D
    =-3A
    CH
    N
    P
    N
    P
    N
    P
    N
    P
    N
    P
    N
    P
    N
    P
    N
    P
    N
    P
    N
    P
    范围
    分钟。
    典型值。
    35
    -
    -35
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.03
    -0.02
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    6
    6
    2
    1
    3
    3
    马克斯。
    -
    -
    -
    V / OC
    -
    48
    70
    72
    100
    3
    -3
    -
    -
    1
    25
    -1
    -25
    ±100
    ±100
    10
    10
    -
    -
    -
    -
    mΩ
    单位
    V
    V
    S
    uA
    nA
    nC
    易亨电子股份有限公司
    www.anachip.com.tw
    2/8
    1.0版
    徐22，2005

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