AM3902N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AM3902N
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内容描述：	双N沟道逻辑电平MOSFET [Dual N-Channel Logic Level MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 239 K
品牌：	ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]

模拟电源

双N沟道逻辑电平MOSFET

这些微型表面贴装MOSFET的

利用高密度沟槽工艺

提供低R

DS （ ON）

并且，以确保最小的

功率损耗和散热。典型

应用的DC- DC转换器和

功率管理在便携式和

电池供电的产品如

计算机，打印机，PCMCIA卡，

蜂窝和无绳电话。

•

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

低热阻抗的铜引线框架

TSOP - 6可节省电路板空间

开关速度快

高性能沟道技术

AM3902N

产品概述

(V)

DS （ ON）

（欧姆）

4.0 @ V

= 4.5 V

5.1 @ V

= 2.5V

(A)

0.4

0.2

绝对最大额定值（T

= 25°C除非另有说明）

符号最大单位

参数

漏源电压

栅源电压

-8.5

连续漏电流

漏电流脉冲

=25 C

=70 C

0.22

0.17

0.5

±0.3

0.9

0.7

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25 C

=70 C

工作结存储温度范围

, T

英镑

-55到150

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

吨< = 5秒

稳态

符号最大单位

ΤΗ

140

180

C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

初步

出版订单号：

DS-AM3902_B

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