[ AOSMD ] AO4440L Datasheet下载

厂商:

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

AOSMD

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

描述:

N沟道增强型网络场效晶体管

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4441 品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
AO4441 图片
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1120pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装
1
其它名称
785-1196-6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

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ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

AOSMD

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

描述:

N沟道增强型网络场效晶体管

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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[ AOSMD ] AO4441 Datasheet下载

厂商:

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

AOSMD

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

描述:

P沟道增强型场效应晶体管

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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[ AOSMD ] AO4441 Datasheet下载

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ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

AOSMD

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

描述:

P沟道增强型场效应晶体管

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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[ SHENZHENFREESCALE ] AO4441 Datasheet下载

厂商:

ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd

SHENZHENFREESCALE

ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd

描述:

P通道60 -V (D -S ) MOSFET的开关速度快

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Fast switching speed

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[ WHXPCB ] AO4441 Datasheet下载

厂商:

shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd

WHXPCB

shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd

描述:

60V P沟道MOSFET

60V P-Channel MOSFET

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[ AOSMD ] AO4441L Datasheet下载

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ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

AOSMD

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

描述:

P沟道增强型场效应晶体管

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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[ AOSMD ] AO4441L Datasheet下载

厂商:

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

AOSMD

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS

描述:

P沟道增强型场效应晶体管

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4441 品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
AO4441 图片
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1120pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装
3,000
其它名称
785-1196-2

AO4441 品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
AO4441 图片
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1120pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装
1
其它名称
785-1196-1
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
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  • N沟道增强型网络场效晶体管
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