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AO4406L 参数 Datasheet PDF下载

AO4406L图片预览
型号: AO4406L
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内容描述: [暂无描述]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 103 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4406
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4406 / L采用先进沟道技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。这
设备是一个极好的高侧开关
笔记本CPU核DC - DC转换器。
AO4406和
AO4406L是电相同。
-RoHS标准
-AO4406L是无卤
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 11.5A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 14mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 16.5mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 26mΩ (V
GS
= 2.5V)
UIS测试!
RG ,西塞,科斯,测试的Crss
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
AF
漏电流脉冲
雪崩电流
B
B
B
最大
30
±12
11.5
9.6
80
25
94
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AV
E
AV
P
D
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
A
=25°
C
功耗
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
AF
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
23
48
12
最大
40
65
16
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
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