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1N53C 参数 Datasheet PDF下载

1N53C图片预览
型号: 1N53C
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内容描述: [Mixer Diode, 800ohm Z(V) Max, 9dB Noise Figure, Silicon,]
分类和应用: 微波混频二极管
文件页数/大小: 1 页 / 147 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
1N53
硅二极管混频器
封装形式DO- 36
描述:
ASI 1N53
是硅混频器
二极管专为低噪音
性能
Ka波段操作的应用程序最多
35千兆赫。
产品特点:
低噪音fugure
更宽的带宽比盒
二极管INX乐队
特征
符号
NF
V
SWR
Z
IF
R
L
= 100
T
C
= 25 C
O
测试条件
F = 9375 MHz的
R
L
= 100
P
lo
= 1.0毫瓦
I
F
= 30 MHz的
NF
IIF
= 1.5分贝
最小典型
格言
13.1
1.6
单位
dB
F = 1000赫兹
P
lo
= 1.0毫瓦
I
F
= 30 MHz的
NF
IIF
= 1.5分贝
400
35
800
GHz的
F = 9375 MHz的
TEST
频率
R
L
= 100
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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