SDRAM
奥斯汀半导体公司
COMMANDS
事实表1提供了可用命令的快速参考。
这之后是每个命令的书面描述。
两个额外的真值表出现以下操作
部分;这些表提供当前状态/下一状态信息
化。
AS4SD4M16
真值表1命令和DMQ操作
（注：1）
名称（功能）
COMMAND INHIBIT （ NOP ）
无操作（ NOP ）
ACTIVE （选择银行并激活行）
READ （选择银行和列，并开始读突发）
WRITE （选择银行和列，并开始写突发）
BURST TERMINATE
预充电（停用排在银行或银行）
自动刷新或自刷新（进入自刷新
模式）
加载模式寄存器
写使能/输出使能
写禁止/输出高阻
CS \\
H
L
L
L
L
L
L
L
L
-
-
RAS \\
X
H
L
H
H
H
L
L
L
-
-
CAS \\
X
H
H
L
L
H
H
L
L
-
-
WE \\ DQM
X
X
H
X
H
X
H
X
L
X
L
X
L
X
H
L
-
-
X
X
L
H
ADDR
的DQ注意事项
X
X
X
X
行/列
X
3
行/列
X
4
行/列有效
4
X
活跃
CODE
X
5
X
操作码
-
-
X
X
活跃
高-Z
6,7
2
8
8
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
CKE是高的，除了自刷新显示的所有命令。
A0 -A11限定的操作码写入到模式寄存器。
A0 -A11提供行地址和BA0 ， BA1确定哪些银行被激活。
A0 - A7 （ X16 ）提供列地址; A10 HIGH启用自动预充电功能（非永久），而A10
LOW禁用自动预充电功能; BA0 ， BA1确定哪些银行正在读取或写入。
A10低： BA0 ， BA1确定银行被预充电。 A10高：所有银行预充电和BA0 ， BA1是
“不在乎。 ”
此命令自动刷新，如果CKE高;自刷新，如果CKE为低。
内部的刷新计数器控制行寻址;所有的输入和I / O的“不关心” ，除了CKE 。
激活或写操作期间（零延迟时钟）停用DQS和读取（双时钟延迟） 。
AS4SD4M16
修订版1.5 10/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
9
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
