C0G （ NP0 ）电介质
一般特定网络阳离子
C0G （ NP0 ）是“温度的最流行的配方
TURE补偿， “ EIA I类陶瓷材料。现代
C0G （ NP0 ）配方中含有钕，钐和
其他稀土氧化物。
C0G （ NP0 ）陶瓷提供最稳定的电容器之一
可用介质。电容随温度的变化
为0 ± 30ppm的/ ° C的不大于± 0.3％
∆
C来自-55°C
至+ 125°C 。电容的漂移或滞后C0G （ NP0 ）
陶瓷是可忽略的，在小于± 0.05 ％和高达
± 2％的薄膜。典型的电容变化的生活少
超过±为C0G （ NP0 ） 0.1％ ，五分之一，所示由最
其他的电介质。 C0G （ NP0 ）配方中不显示衰老
的特点。
该C0G （ NP0 ）配方通常有超过一个“Q”
1000 ，显示小电容或“Q ”的转变
频率。其介电吸收是通常小于
0.6 ％，这是类似于云母和最薄膜。
部件号（见完整的零件号解释第3页）
0805
SIZE
（ L" X W" ）
5
电压
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
A
电介质
C0G （ NP0 ） = A
101
电容
CODE
J
电容
公差
首选
K = ±10%
J = ± 5%
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和焊接
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
A
特别
CODE
A =标准。
产品
性能特点
电容范围
电容公差
0.5 pF至0.1 μF （ 1.0 ± 0.2 Vrms的， 1kHz时，对
≤100
pF的使用1兆赫）
优选±5％ ，±10％
其他可供选择： ± 0.25 pF的，± 0.5 pF的±1 ％ （ ≥25pF ） ，± 2 ％ （ ≥13pF ） ，± 20 ％
为值
≤
10 pF的首选公差为± 0.5 pF的，也可± 0.25 pF的。
-55 ° C至+ 125°C
0 ± 30 PPM / ° C（ EIA C0G ）
25 ， 50 ， 100 & 200 VDC （ + 125°C ）
对于价值观>30 PF： 0.1 ％以下。 （ + 25 ° C至+ 125°C ）
为值
≤30
PF： “Q” = 400 + 20乘C （C为pF ）
100000兆欧分钟。或1000 MΩ - μF分钟，以较低者为准
万兆欧分钟。或100 MΩ - μF分钟，以较低者为准
250 ％额定电压5秒钟，在50 MAMP最大值。当前
1 ± 0.2 Vrms的
为值
≤100
PF： 1兆赫
对于价值观>100 PF： 1千赫
工作温度范围
温度特性
电压额定值
耗散因数和“Q”
绝缘电阻
（ + 25 ° C， RVDC ）
绝缘电阻
（ + 125°C ， RVDC ）
介电强度
测试电压
测试频率
4
AVX [ AVX CORPORATION ]
