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    AP1662P-G1 参数 Datasheet PDF下载

    AP1662P-G1图片预览
    型号： AP1662P-G1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高性能功率因数校正器 [HIGH PERFORMANCE POWER FACTOR CORRECTOR]
    分类和应用： 功率因数校正信息通信管理
    文件页数/大小： 18 页 / 466 K
    品牌： BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
     浏览型号AP1662P-G1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP1662P-G1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP1662P-G1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP1662P-G1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AP1662P-G1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AP1662P-G1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AP1662P-G1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AP1662P-G1的Datasheet PDF文件第10页  
    初步数据表
    高性能功率因数校正器
    电气特性
    V
    CC
    = 12V ，T
    J
    = -25 ° C至125°C ，C
    O
    = 1nF的，除非另有规定。
    AP1662
    参数
    导通阈值
    关断阈值
    迟滞
    V
    CC
    工作范围
    齐纳电压
    符号
    V
    CC -ON
    V
    CC -OFF
    V
    CC- HYS
    V
    CC
    V
    Z
    测试条件
    V
    CC
    升起
    V
    CC
    落下
    民
    11
    8.7
    2.2
    典型值
    12
    9.5
    2.5
    最大
    13
    10.3
    2.8
    22
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    欠压锁定部分
    在导通之后
    I
    CC
    =20mA
    10.3
    22
    24
    总电源电流科
    启动电流
    工作电源电流
    静态电流
    静态电流
    I
    启动
    I
    CC
    I
    Q
    I
    Q
    V
    CC
    = 11V前开通
    Frequency=70kHz
    在OVP条件
    V
    INV
    =2.7V
    打开后
    V
    ZCD
    ≤150mV,
    V
    CC
    ＆ GT ; V
    CC -OFF
    V
    ZCD
    ≤150mV,
    V
    CC
    ＆ LT ; V
    CC -OFF
    20
    50
    40
    3.5
    1.4
    2.5
    70
    5
    2.2
    3.75
    2.2
    90
    mA
    mA
    mA
    µA
    µA
    误差放大器部分
    电压反馈输入。
    门槛
    线路调整
    输入偏置电流
    电压增益
    增益带宽
    产量
    电压
    产量
    当前
    上夹
    电压
    低钳位
    电压
    来源
    当前
    灌电流
    I
    INV
    G
    V
    G
    B
    V
    COMP -H
    V
    COMP -L
    I
    COMP -H
    I
    COMP -L
    I
    来源
    =0.5mA
    I
    SINK
    =0.5mA
    V
    COMP
    =4V, V
    INV
    =2.4V
    V
    COMP
    =4V, V
    INV
    =2.6V
    -2
    2.5
    V
    INV
    T
    J
    =25ºC
    10.3V<V
    CC
    <20V
    V
    CC
    = 10.3V至20V
    V
    INV
    = 0到3V
    开环
    60
    2.465
    2.44
    2
    -0.1
    80
    1
    5.8
    V
    2.25
    -4
    4.5
    -8
    mA
    2.5
    2.535
    2.56
    5
    -1
    V
    mV
    µA
    dB
    兆赫
    五月。 2011
    修订版1.0
    6
    BCD半导体制造有限公司

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