[ INFINEON ] BFR181W Datasheet下载

厂商:

INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

NPN硅晶体管RF

NPN Silicon RF Transistor

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BFR181WH6327XTSA1 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
图片:
BFR181WH6327XTSA1 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
频率 - 跃迁
8GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益
19dB
功率 - 最大值
175mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
70 @ 5mA,8V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
20mA
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商器件封装
PG-SOT323-3
基本零件编号
BFR181
标准包装
3,000
其它名称
BFR 181W H6327 BFR 181W H6327-ND BFR 181W H6327TR-ND BFR181WH6327XTSA1TR SP000750418

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NPN硅晶体管RF

NPN Silicon RF Transistor

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[ INFINEON ] BFR181W Datasheet下载

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INFINEON TECHNOLOGIES AG

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INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

NPN硅晶体管RF )针对低噪声,高增益宽带放大器集电极电流为0.5 mA至12毫安)

NPN Silicon RF Transistor )For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12mA)

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[ INFINEON ] BFR181W_10 Datasheet下载

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NPN硅晶体管RF

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[ INFINEON ] BFR182 Datasheet下载

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NPN硅晶体管RF

NPN Silicon RF Transistor

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[ INFINEON ] BFR182 Datasheet下载

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NPN硅RF晶体管(对于低噪声,高增益宽带放大器集电极电流在1mA到20mA )

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA)

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[ INFINEON ] BFR182 Datasheet下载

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描述:

NPN硅晶体管RF

NPN Silicon RF Transistor

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[ INFINEON ] BFR182_07 Datasheet下载

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NPN硅晶体管RF

NPN Silicon RF Transistor

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BFR181WH6327XTSA1 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
图片:
BFR181WH6327XTSA1 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
频率 - 跃迁
8GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益
19dB
功率 - 最大值
175mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
70 @ 5mA,8V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
20mA
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商器件封装
PG-SOT323-3
基本零件编号
BFR181
标准包装
1
其它名称
BFR 181W H6327CT BFR 181W H6327CT-ND BFR181WH6327XTSA1CT

BFR181WH6327XTSA1 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
图片:
BFR181WH6327XTSA1 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
在售
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
频率 - 跃迁
8GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益
19dB
功率 - 最大值
175mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
70 @ 5mA,8V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
20mA
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商器件封装
PG-SOT323-3
基本零件编号
BFR181
标准包装
1
其它名称
BFR 181W H6327DKR BFR 181W H6327DKR-ND BFR181WH6327XTSA1DKR
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 3.
  • BFR181W
  • NPN硅晶体管RF )针对低噪声,高增益宽带放大器集电极电流为0.5 mA至12毫安)
    NPN Silicon RF Transistor )For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12mA)

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