BD242B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD242B
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内容描述：	PNP硅功率晶体管 [PNP SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	5 页 / 108 K
品牌：	BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]

BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C

PNP硅功率晶体管

典型特征

典型的直流电流增益

集电极电流

1000

= -4 V

= 300微秒，占空比< 2 ％

TCS632AH

集电极 - 发射极饱和电压

基极电流

CE （ SAT ）

- 集电极 - 发射极饱和电压 - V

-10

TCS632AB

= 25°C

= 80°C

- 直流电流增益

-1·0

100

-0·1

-100毫安

-300毫安

-1 A

-3 A

-1·0

-10

-100

-1000

-0·01

-0·1

-1·0

-10

-0·01

-0·1

- 集电极电流 - 一个

- 基本电流 - 毫安

图1 。

图2中。

基射极电压

集电极电流

-1

= -4 V

= 25°C

- 基射极电压 - V

-0·9

TCS632AC

-0·8

-0·7

-0·6

-0·5

-0·01

-0·1

-1

-10

- 集电极电流 - 一个

网络连接gure 3 。

1973年6月 - 修订2002年9月

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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