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BDV65C 参数 Datasheet PDF下载

BDV65C图片预览
型号: BDV65C
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内容描述: NPN硅功率DARLINGTONS [NPN SILICON POWER DARLINGTONS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 5 页 / 109 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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BDV65 , BDV65A , BDV65B , BDV65C
NPN硅功率DARLINGTONS
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BDV65
V
( BR ) CEO
I
C
= 30毫安
I
B
= 0
(见注4 )
BDV65A
BDV65B
BDV65C
V
CB
= 30 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CB
= 40 V
V
CB
= 50 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= 120 V
V
CB
= 30 V
V
CB
= 40 V
V
CB
= 50 V
V
CB
= 60 V
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
V
EC
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
并联二极管
正向电压
V
EB
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
I
E
=
5V
4V
20毫安
4V
10 A
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
= 5 A
I
C
= 5 A
I
C
= 5 A
I
B
= 0
(见注4和5)
(见注4和5)
(见注4和5)
(见注4和5)
1000
2
2.5
3.5
V
V
V
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
BDV65
BDV65A
BDV65B
BDV65C
BDV65
BDV65A
BDV65B
BDV65C
BDV65
BDV65A
BDV65B
BDV65C
60
80
100
120
2
2
2
2
0.4
0.4
0.4
0.4
2
2
2
2
5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
注: 4。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
5.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
1
35.7
单位
° C / W
° C / W
2
1993年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP