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TIP30C 参数 Datasheet PDF下载

TIP30C图片预览
型号: TIP30C
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内容描述: PNP硅功率晶体管 [PNP SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 89 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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TIP30 , TIP30A , TIP30B , TIP30C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS632AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰,d = 0.1 = 10%
t
p
= 1毫秒, D = 0.1 = 10 %
t
p
= 10毫秒峰,d = 0.1 = 10%
直流操作
-1·0
-0·1
TIP30
TIP30A
TIP30B
TIP30C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
40
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS631AB
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4