TISP6NTP2C高压振铃SLIC保护
应用信息
SLIC保护
在用户端POTS线路的产生通常使用振铃SLIC 。虽然线短，一个中心局的振铃
电压电平，经常需要对传真机的操作。高压SLIC组件，现已能生产出足够的振铃电压（见
表）。该TISP6NTP2C的设计与这些SLIC组件而使用的电池电压，V工作
浴
下降到-150V。图2示出了
典型的例子有一个TISP6NTP2C保护2 SLIC组件。
下表显示了高压SLIC组件的使用多个负供电轨的一些细节。
生产厂家
SLIC系列
SLIC ＃
数据表问题
短路电流
V
浴
马克斯。
V
BATL
马克斯。
AC振铃：
波峰因数
V
浴
V
BATR
R或牛逼过冲< 250纳秒
线路馈电电阻
20 + 30
INFINEON ‡
SLIC -P ‡
PEB 4266
14/02/2001
110
-155
-150
85
1.4
-70
-150
-15
50
ISLIC ™‡
79R241
-/08/2000
150
-104
-104
45†
1.4
-90
-36
15
-20
50
79R101
-/07/2000
150
-104
V
浴
50†
1.4
-99
-24
12
-20
50
79R100
-/07/2000
150
-104
V
浴
55†
1.25
-99
-24
12
V
V
V
Ω
mA
V
V
V有效值
轻巧™‡
单位
†假设-20 V电池电压振铃过程中。
‡轻巧的轻巧标志和ISLIC是轻巧，Inc.的商标
本出版物中使用的其它产品名称仅作识别之用，可能是其各自公司的商标
公司。
ISDN保护
对电压供给的保护，一个TISP6NTP2C晶闸管的阴极连接到四个导线要被保护的（参见图3）。
每一个栅极被连接到相应的负电压源。该TISP6NTP2C的阳极连接到公共系统。
正的过电压是由TISP6NTP2C反并联二极管的正向导通剪切到常见。负过电压最初
由TISP6NTP2C缓冲晶体管的射极跟随器的动作修剪接近负电源。如果有足够的削波电流流过，则
TISP6NTP2C晶闸管将重新生成，并切换到导通状态的低电压状态。作为负过电压消退，高保持
在TISP6NTP2C电流防止直流闭锁。
电压应力水平
图4示出了保护装置的电极。包终端指定的闸门，G ，就是晶体管的基极， B，电极连接，所以是
标记为B （G）中。下面结受到电压应力：晶体管的EB和CB ，可控硅的AK （关闭状态）和反并联二极管
（反向阻断） 。这一条款涵盖了必要的测试，以确保路口都不错。
测试晶体管CB和EB ：最大电压应力水平为TISP6NTP2C为V
浴
与另外的短期反平行的
二极管的电压过冲，V
FRM
。流出的电流对G端子的测量V
浴
加V
FRM
。可控硅ķ端子被短路到
通用（0V）用于该试验中（参见图4） 。所测量的电流，I
GKS
，为结电流I的总和
CB
我
EB
.
测试晶体管CB ， AK可控硅关断状态和二极管反向阻断：在的超调时期出现的最高电压AK
保护者。为了确保可控硅和二极管阻塞路口，在此期间，直流不分解测试关态电流，我
D
,
可以在过冲电压值施加。以避免晶体管的CB电流放大由晶体管增益时，晶体管基极 - 发射极是
在此测试期间短路（参见图5） 。
摘要：两个测试需要验证保护的路口。对我最大电流值
GKS
我
D
必须在指定的应用
电压的条件。
2002年3月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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