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BD616LV4017EC-70 参数 Datasheet PDF下载

BD616LV4017EC-70图片预览
型号: BD616LV4017EC-70
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 267 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
( TA = -40 to + 85
o
C )
SYMBOL
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
(3)
BS616LV4017
TEST CONDITIONS
CE
Vcc - 0.2V
V
IN
Vcc - 0.2V or V
IN
0.2V
CE
Vcc - 0.2V
V
IN
Vcc - 0.2V or V
IN
0.2V
See Retention Waveform
PARAMETER
Vcc for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
MIN. TYP.
1.5
--
0
T
RC (2)
--
0.3
--
--
(1)
MAX.
--
1.3
--
--
UNITS
V
uA
ns
ns
1. Vcc = 1.5V, T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
= Read Cycle Time
3. I
cc
DR
_
MAX.
is 0.8uA at T
A
=70
O
C.
LOW V
CC
DATA RETENTION WAVEFORM
( CE Controlled )
Data Retention Mode
Vcc
V
IH
Vcc
V
DR
1.5V
Vcc
t
CDR
CE
Vcc - 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS616LV4017
4
Revision 2.1
Jan.
2004