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BH616UV8011 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BH616UV8011
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 152 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH616UV8011  
n Revision History  
Revision No.  
History  
Draft Date  
Remark  
Initial  
1.0  
1.1  
Initial Production Version  
May 10,2006  
May. 25, 2006  
Change I-grade operation temperature range  
- from 25OC to 40OC  
Revision 1.1  
R0201-BH616UV8011  
10  
May  
2006