欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BS616LV2019EIP55 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2019EIP55图片预览
型号: BS616LV2019EIP55
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 209 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BS616LV2019EIP55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS616LV2019EIP55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV2019EIP55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2019EIP55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV2019EIP55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2019EIP55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV2019EIP55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV2019EIP55的Datasheet PDF文件第9页  
BS616LV4017
n
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= -40 C to +85 C)
READ CYCLE
JEDEC
PARANETER
PARAMETER
NAME
NAME
CYCLE TIME : 55ns
(V
CC
=3.0~5.5V)
MIN. TYP. MAX.
55
--
(CE)
(LB, UB)
--
--
--
(CE)
(LB, UB)
10
10
5
(CE)
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
55
30
--
--
--
30
30
25
--
CYCLE TIME : 70ns
(V
CC
=2.7~5.5V)
MIN. TYP. MAX.
70
--
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
70
35
--
--
--
35
35
30
--
O
O
DESCRIPTION
UNITS
t
AVAX
t
AVQX
t
ELQV
t
BLQV
t
GLQV
t
ELQX
t
BLQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
BHQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Data Byte Control Access Time
Output Enable to Output Valid
Chip Select to Output Low Z
Data Byte Control to Output Low Z
Output Enable to Output Low Z
Chip Select to Output High Z
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Data Byte Control to Output High Z (LB, UB)
Output Enable to Output High Z
Data Hold from Address Change
n
SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)
READ CYCLE 1
(1,2,4)
t
RC
ADDRESS
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
R0201-BS616LV4017
5
Revision 1.3
May.
2006