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BS616LV4010AIG10 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV4010AIG10图片预览
型号: BS616LV4010AIG10
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内容描述: [Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48]
分类和应用: 静态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 9 页 / 269 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
( TA = 0 to + 70
o
C , Vcc = 3.0V )
WRITE CYCLE
JEDEC
PARAMETER
NAME
PARAMETER
NAME
DESCRIPTION
Write Cycle Time
Chip Select to End of Write
Address Setup Time
Address Valid to End of Write
Write Pulse Width
Write recovery Time
Date Byte Control to End of Write
Write to Output in High Z
Data to Write Time Overlap
Data Hold from Write Time
Output Disable to Output in High Z
End of Write to Output Active
BS616LV4010
CYCLE TIME : 70ns
MIN. TYP. MAX.
CYCLE TIME : 100ns
MIN. TYP. MAX.
UNIT
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
BW
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHOX
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR1
(1)
t
BW
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
70
70
0
70
35
(CE,WE)
(LB,UB)
0
30
--
30
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
100
100
0
100
50
0
40
--
40
0
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
40
--
--
40
--
NOTE :
1. t
BW
is 30ns/40ns (@speed=70ns/100ns) with address toggle. ; t
BW
is 70ns/100ns (@speed=70ns/100ns) without address toggle.
SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)
WRITE CYCLE1
(1)
ADDRESS
t
WC
t
WR
OE
(3)
t
CW
CE
(5)
(11)
t
BW
LB,UB
t
AW
WE
(3)
t
AS
(4,10)
t
WP
(2)
t
OHZ
D
OUT
t
t
DW
DH
D
IN
R0201-BS616LV4010
6
Revision 2.4
Jan.
2004