欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BS616LV2013EC 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2013EC图片预览
型号: BS616LV2013EC
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 242 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BS616LV2013EC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2013EC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV2013EC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV2013EC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2013EC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV2013EC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV2013EC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS616LV2013EC的Datasheet PDF文件第10页  
BS616LV2013  
BSI  
REVISION HISTORY  
Revision Description  
Date  
Note  
2.2  
2001 Data Sheet release  
Apr. 15, 2001  
2.3  
Modify Standby Current (Typ. Jun. 29, 2001  
and Max.)  
2.4  
2.5  
Modify CSP Pin Configuration Sep.12, 2001  
Pin number : E3  
“ VSS ” rename to “ N.C. “  
Modify some AC parameters  
April,12,2002  
Revision 2.5  
April 2002  
R0201-BS616LV2013  
11