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BS616LV4011DC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BS616LV4011DC
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 232 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI  
REVISION HISTORY  
BS616LV4011  
Revision Description  
Date  
Note  
2.2  
2001 Data Sheet release  
Apr. 15, 2001  
2.3  
Modify Standby Current (Typ. and Jun. 29, 2001  
Max.)  
2.4  
Modify some AC parameters.  
Modify 5V ICCSB1_Max(I-grade)  
from 25uA to 50uA.  
April,11,2002  
Revision 2.4  
April 2002  
R0201-BS616LV4011  
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