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    BS616LV1010ACP75 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV1010ACP75图片预览
    型号： BS616LV1010ACP75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 241 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV1010ACP75的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV1010ACP75的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV1010ACP75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV1010ACP75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV1010ACP75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV1010ACP75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV1010ACP75的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS616LV1010ACP75的Datasheet PDF文件第10页  
    BS616LV1010  
    „ Revision History  
    Revision No.  
    History  
    Draft Date  
    Remark  
    2.5  
    2.6  
    Add Icc1 characteristic parameter  
    Jan. 13, 2006  
    May. 25, 2006  
    Change I-grade operation temperature range  
    O
    O
    - from –25 C to –40 C  
    2.7  
    Typical value of standby current is replaced by  
    maximum value in Featues and Description  
    section  
    Oct. 31, 2008  
    Remove “-: Normal” (Leaded) PKG Material in  
    ordering information  
    Revision  
    2.7  
    2008  
    R0201-BS616LV1010  
    11  
    Oct.  

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