BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
256K ×16位
BS616LV4017
•宽的Vcc工作电压： 2.4 〜 5.5V
•极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 26毫安（ @ 55ns ）工作电流
I级： 27毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 21毫安（ @为70ns ）工作电流
I级： 22毫安（ @为70ns ）工作电流
0.45uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 63毫安（ @ 55ns ）工作电流
I级： 65毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 53毫安（ @为70ns ）工作电流
I级： 55毫安（ @为70ns ）工作电流
2.0uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
描述
该BS616LV4017是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为262144的单词和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.45uA在3.0V / 25
o
55ns的3.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供使能（CE ）
，低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV4017具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV4017可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II型封装， 48焊球BGA封装。
产品系列
产品系列
BS616LV4017DC
BS616LV4017EC
BS616LV4017AC
BS616LV4017DI
BS616LV4017EI
BS616LV4017AI
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
操作
温度
VCC
范围
速度
(
NS ）
55ns ： 3.0 〜 5.5V
为70ns ： 2.7 〜 5.5V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
操作
待机
( I
CC
马克斯）
PKG
TYPE
骰子
VCC = 3.0V
VCC = 5.0V
VCC = 3.0V
70ns
VCC = 5.0V
70ns
0 ℃〜 + 70℃
O
O
2.4V ~ 5.5V
55 /70
5uA
30uA
21mA
53mA
-40°C至+ 85°C
O
O
2.4V ~ 5.5V
55 /70
10uA
60uA
22mA
55mA
TSOP2-44
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 2048
BS616LV4017EC
BS616LV4017EI
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV4017
1
修订版2.1
一月
2004
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
