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BH616UV1610AIG70 参数 Datasheet PDF下载

BH616UV1610AIG70图片预览
型号: BH616UV1610AIG70
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 152 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH616UV1610
n
AC电气特性(T
A
= -40°C至+ 85°C )
写周期
JEDEC
参数
名字
PARANETER
名字
描述
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
片选写的结束
数据字节的控制来写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写恢复时间
写入输出高Z
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出禁止到输出中高Z
写结束到输出有效
( CE1 , WE)
(CE2)
( LB , UB )
55
0
45
45
45
35
0
0
--
25
0
--
5
周期时间: 55ns
分钟。
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
--
--
--
--
--
--
--
20
--
--
25
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
O
O
t
AVAX
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
BLWH
t
WLWH
t
WHAX
t
E2LAX
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHQX
t
WC
t
AS
t
AW
t
CW
t
BW
t
WP
t
WR1
t
WR2
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
n
开关波形(写周期)
写周期1
(1)
t
WC
地址
OE
t
CW
CE1
(5)
(11)
t
WR1
(3)
CE2
(5)
t
CW
LB , UB
t
AW
WE
t
AS
t
OHZ
D
OUT
(4,10)
(11)
t
BW
t
WR2
(3)
t
WP
(2)
t
DH
t
DW
D
IN
R0201-BH616UV1610
7
修订版1.2
五月。
2006