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BH616UV1611BIG70 参数 Datasheet PDF下载

BH616UV1611BIG70图片预览
型号: BH616UV1611BIG70
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 149 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH616UV1611
n
真值表
字节模式( TSOP只)
模式
芯片
非选定
(断电)
产量
(字节模式)
(字节模式)
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
LB
X
X
X
X
X
UB
X
X
X
X
X
BYTE DQ0 〜 DQ7 DQ8 〜 DQ14 DQ15
L
L
L
L
L
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
X
高Z
高Z
高Z
A20
A20
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
文字模式
模式
芯片
非选定
(断电)
产量
(字模式)
CE1
H
X
X
L
CE2
X
L
X
H
WE
X
X
X
H
OE
X
X
X
H
LB
X
X
H
X
L
UB
X
X
H
X
L
L
H
L
L
H
BYTE DQ0 〜 DQ7 DQ8 〜 DQ14 DQ15
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
L
H
H
L
H
L
L
(字模式)
L
H
L
X
H
L
注: H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心(必须是V
IH
或V
IL
状态)
48BGA忽略BYTE条件。
R0201-BH616UV1611
3
修订版1.3
上柜。
2006