超低功耗/高速CMOS SRAM
1M X 16位/ 2M ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BH616UV1611
n
特点
Ÿ
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 〜 3.6V
Ÿ
超低功耗：
V
CC
= 3.6V
工作电流： 10毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 5.0uA （典型值） ，在3.0V / 25
O
C
V
CC
= 1.2V
数据保持电流： 1.5uA （典型值），在25
O
C
Ÿ
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=1.65~3.6V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=1.65~3.6V
Ÿ
自动断电，当芯片被取消
Ÿ
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
Ÿ
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作，没有时钟，没有刷新
Ÿ
数据保持电源电压低至1.0V
n
描述
该BH616UV1611是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为1048576
并在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，与典型工作电流
1.5毫安在1MHz为3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
1.65V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BH616UV1611具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH616UV1611可在DICE的形式， JEDEC标准
48针TSOP -I和48球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BH616UV1611DI
BH616UV1611BI
BH616UV1611TI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
30uA
25uA
2mA
6mA
10mA
1.5mA
5mA
8mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
1MHz
V
CC
=3.6V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-48-0810
TSOP I- 48
n
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE2
NC
UB
LB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ8
DQ9
VSS
VCC
DQ14
DQ15
A18
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
5
A2
CE1
DQ1
DQ3
DQ4
DQ5
WE
A11
6
CE2
DQ0
DQ2
VCC
VSS
DQ6
DQ7
NC
A16
字节
VSS
DQ15/A20
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
VSS
CE1
A0
n
框图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A18
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 16384
BH616UV1611TI
16384
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
.
.
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
1024
列解码器
10
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
16
2
OE
UB
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
A19
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
CE2 ， CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A16 A0 A17 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH616UV1611
1
修订版1.3
上柜。
2006
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
