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    BH616UV1611TIP55 参数 Datasheet PDF下载

    BH616UV1611TIP55图片预览
    型号： BH616UV1611TIP55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 149 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH616UV1611TIP55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH616UV1611TIP55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH616UV1611TIP55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH616UV1611TIP55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH616UV1611TIP55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH616UV1611TIP55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH616UV1611TIP55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH616UV1611TIP55的Datasheet PDF文件第9页  
    BH616UV1611
    n
    数据保持特性（T
    A
    = -40°C至+ 85°C ）
    符号
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR
    t
    R
    参数
    V
    CC
    数据保留
    O
    O
    测试条件
    CE1≧V
    CC
    -0.2V或CE2 = 0.2V ，
    V
    IN
    ≧V
    CC
    -0.2V或V
    IN
    ≦0.2V
    CE1≧V
    CC
    -0.2V或CE2 = 0.2V ，
    V
    IN
    ≧V
    CC
    -0.2V或V
    IN
    ≦0.2V
    V
    CC
    =1.2V
    分钟。
    1.0
    典型值。
    (1)
    --
    马克斯。
    --
    单位
    V
    数据保持电流
    芯片取消到数据
    保留时间
    --
    1.5
    15
    uA
    0
    见保留波形
    t
    RC （2）
    --
    --
    ns
    手术恢复时间
    --
    --
    ns
    1.典型的特点是在T
    A
    =25
    O
    C和不是100 ％测试。
    2. t
    RC
    =读周期时间。
    n
    低V
    CC
    数据保存波形图（ 1 ） （ CE1控制）
    数据保持方式
    V
    CC
    V
    IH
    V
    CC
    V
    DR
    ≧1.0V
    V
    CC
    t
    CDR
    CE1≧V
    CC
    - 0.2V
    t
    R
    V
    IH
    CE1
    n
    低V
    CC
    数据保存波形图（ 2 ） （ CE2控制）
    数据保持方式
    V
    CC
    V
    DR
    ≧1.0V
    V
    CC
    V
    CC
    t
    CDR
    t
    R
    CE2≦0.2V
    CE2
    V
    IL
    V
    IL
    n
    AC测试条件
    （测试负载和输入/输出参考）
    输入脉冲电平
    输入上升和下降时间
    输入和输出时序
    参考电平
    t
    CLZ1
    , t
    CLZ2
    , t
    BE
    , t
    OLZ
    , t
    CHZ1
    ,
    t
    CHZ2
    , t
    BDO
    , t
    OHZ
    , t
    WHZ
    , t
    OW
    输出负载
    OTHERS
    V
    CC
    / 0V
    1V/ns
    0.5Vcc
    C
    L
    = 5pF的+ 1TTL
    C
    L
    = 30pF的+ 1TTL
    所有的输入脉冲
    1 TTL
    产量
    C
    L(1)
    V
    CC
    GND
    10%
    90%
    90%
    10%
    n
    关键开关波形
    波形
    输入
    必须是
    稳定
    可能改变
    从
    “H”
    TO
    “L”
    可能改变
    从
    “L”
    TO
    “H”
    不在乎
    任何改变
    许可
    不
    申请
    输出
    必须是
    稳定
    将改变
    从
    “H”
    TO
    “L”
    将改变
    从
    “L”
    TO
    “H”
    变化：
    州UNKNOW
    中心线
    高Inpedance
    “关”的
    状态
    → ←
    上升时间：
    1V/ns
    → ←
    下降时间：
    1V/ns
    1.包括夹具和范围电容。
    R0201-BH616UV1611
    5
    修订版1.3
    上柜。
    2006

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