超低功耗/高速CMOS SRAM
512K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BH616UV8010
n
特点
Ÿ
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 〜 3.6V
Ÿ
超低功耗：
V
CC
= 3.6V
工作电流： 12毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 2.5uA （典型值） ，在3.0V / 25
O
C
V
CC
= 1.2V
数据保持电流： 1.2uA （典型值），在25
O
C
Ÿ
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=1.65~3.6V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=1.65~3.6V
Ÿ
自动断电，当芯片被取消
Ÿ
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
Ÿ
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作，没有时钟，没有刷新
Ÿ
数据保持电源电压低至1.0V
n
描述
该BH616UV8010是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为524,288和
在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，与典型工作电流
1.5毫安在1MHz为3.6V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
1.65V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BH616UV8010具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH616UV8010可在DICE的形式， JEDEC标准
48针TSOP -I和48球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
1MHz
V
CC
=3.6V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
BH616UV8010DI
BH616UV8010AI
BH616UV8010TI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
15uA
12uA
2mA
6mA
12mA
1.5mA
5mA
8mA
骰子
BGA-48-0608
TSOP I- 48
n
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
CE2
NC
UB
LB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
VSS
CE1
A0
n
框图
BH616UV8010TI
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 8192
8192
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
.
.
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
512
列解码器
9
地址输入缓冲器
控制
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
16
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ8
DQ9
VSS
VCC
DQ14
DQ15
A18
2
OE
UB
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
DQ1
DQ3
DQ4
DQ5
WE
A11
6
CE2
DQ0
DQ2
VCC
VSS
DQ6
DQ7
NC
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A18 A17 A15 A14 A13 A16 A2 A1 A0
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH616UV8010
1
修订版1.2
五月。
2006
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
