BSI
n
特点
超低功耗/高速CMOS SRAM
1M ×16位
n
描述
BH616UV1610
Ÿ
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 〜 3.6V
Ÿ
超低功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 5.0毫安在70ns的25
O
C
1.5毫安在1MHz处25
O
C
待机电流： 3uA的25
O
C
V
CC
= 2.0V
数据保持电流： 3uA的25
O
C
Ÿ
高速存取时间：
-70
为70ns ，在1.8V时85
O
C
Ÿ
自动断电，当芯片被取消
Ÿ
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
Ÿ
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作，没有时钟，没有refreash
Ÿ
数据保持电源电压低至1.0V
该BH616UV1610是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为1,048,576和
在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
，具有1.5mA的典型工作电流的速度和低功耗的特点，
在1MHz的3.0V / 25
O
为70ns的1.8V / 85 ℃，最大访问时间
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BH616UV1610具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BH616UV1610是用8Mbit的SRAM的两个芯片堆叠所
多芯片封装。
该BH616UV1610是48球BGA封装。
n
产品系列
产品
家庭
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
BH616UV1610AI
-25℃到+ 85℃
O
O
V
CC
范围
速度
（纳秒）
V
CC
=1.8~3.6V
耗电量
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.6V V
CC
=1.8V V
CC
=3.6V V
CC
=1.8V
70
1.65V ~ 3.6V
70
20uA
25uA
15uA
20uA
10mA
10mA
7mA
BGA-48-0608
7mA
n
销刀豆网络gurations
1
A
LB
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
CE2
n
框图
B
DQ8
UB
A3
A4
CE1
DQ0
C
DQ9
DQ10
DQ11
A5
A6
DQ1
DQ2
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 16384
16384
D
VSS
A17
A7
DQ3
VCC
E
VCC
DQ12
VSS
A16
DQ4
VSS
F
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
.
.
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
1024
列解码器
10
16
G
DQ15
A19
A12
A13
WE
DQ7
H
A18
A8
A9
A10
A11
NC
CE2 ， CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
控制
地址输入缓冲器
A19 A18 A17 A15 A14 A13 A16 A2 A1 A0
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH616UV1610
1
修订版1.0
七月
2005
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
