BSI
n
特点
超低功耗/高速CMOS SRAM
512K ×16位
n
描述
BH616UV8010
Ÿ
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 〜 3.6V
Ÿ
超低功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 5.0毫安在70ns的25
O
C
1.5毫安在1MHz处25
O
C
待机电流： 2.5uA 25
O
C
V
CC
= 2.0V
数据保持电流： 2.5uA 25
O
C
Ÿ
高速存取时间：
-70
为70ns ，在1.8V时85
O
C
Ÿ
自动断电，当芯片被取消
Ÿ
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
Ÿ
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作，没有时钟，没有refreash
Ÿ
数据保持电源电压低至1.0V
该BH616UV8010是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
随机存取记忆体组织为524,288 16位和操作
在很宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
，具有1.5mA的典型工作电流的速度和低功耗的特点，
1MHz的电压为3.6V / 25
O
为70ns的1.8V / 85 ℃，最大访问时间
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BH616UV8010具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BH616UV8010是DICE的形式提供， JEDEC标准的48引脚
TSOP -I和48球BGA封装。
n
产品系列
产品
家庭
操作
温度
V
CC
范围
速度
（纳秒）
V
CC
=1.8~3.6V
耗电量
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.6V V
CC
=1.8V V
CC
=3.6V V
CC
=1.8V
BH616UV8010DI
BH616UV8010TI
BH616UV8010AI
+0
O
C至+70
O
C
1.65V ~ 3.6V
-25
O
C至+ 85
O
C
70
13uA
10uA
10mA
7mA
骰子
TSOP1-48
70
15uA
12uA
10mA
7mA
BGA-48-0608
n
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
CE2
NC
UB
LB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ8
DQ9
VSS
VCC
DQ14
DQ15
A18
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
5
A2
CE1
DQ1
DQ3
DQ4
DQ5
WE
A11
6
CE2
DQ0
DQ2
VCC
VSS
DQ6
DQ7
NC
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
VSS
CE1
A0
n
框图
BH616UV8010TC
BH616UV8010TI
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 8192
8192
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
.
.
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
512
列解码器
9
地址输入缓冲器
控制
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
16
2
OE
UB
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A18 A17 A15 A14 A13 A16 A2 A1 A0
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH616UV8010
1
修订版1.0
七月
2005
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
