超低功耗/高速CMOS SRAM
1M ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BH616UV1611
特点
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 〜 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 3.6V
工作电流： 12毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流为30uA （最大值）电压为3.6V / 85℃
V
CC
= 1.2V
-55/-70
数据保持电流： 15uA （最大）在85℃
55ns （最大）在V
CC
=3.0V
70ns的（最大）在V
CC
=1.8V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作，没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压低至1.0V
O
O
描述
该BH616UV1611是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为1048576
并在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与最大待机电流高速度和低功耗的特点，
55 / 70ns的在39uA的3.6V / 85 ℃，最大访问时间
3.0V/1.8V.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BH616UV1611具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH616UV1611是用8Mbit的SRAM的两个芯片通过
堆叠多芯片封装。
该BH616UV1611是48球BGA封装。
O
高速存取时间：
耗电量
功耗
产品
家庭
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
1MHz
V
CC
=3.6V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
BH616UV1611AI
产业
O
-40°C至+ 85°C
O
30uA
25uA
2mA
6mA
12mA
1.5mA
5mA
8mA
BGA-48-0608
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ8
DQ9
VSS
VCC
DQ14
DQ15
A18
2
OE
UB
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
A19
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
DQ1
DQ3
DQ4
DQ5
WE
A11
6
CE2
DQ0
DQ2
VCC
VSS
DQ6
DQ7
NC
框图
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 16384
16384
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
CE2 ， CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
.
.
.
.
.
.
16
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
1024
列解码器
10
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
A19 A18 A17 A15 A14 A13 A16 A2 A1 A0
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH616UV1611
1
调整
1.1
十月
2008
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
