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    BH62UV4000HIG55 参数 Datasheet PDF下载

    BH62UV4000HIG55图片预览
    型号： BH62UV4000HIG55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit]
    分类和应用： 存储静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 397 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH62UV4000HIG55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH62UV4000HIG55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH62UV4000HIG55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH62UV4000HIG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH62UV4000HIG55的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BH62UV4000HIG55的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BH62UV4000HIG55的Datasheet PDF文件第11页浏览型号BH62UV4000HIG55的Datasheet PDF文件第12页  
    BH62UV4000
    n
    订购信息
    BH62UV4000
    X
    X
    Z
    YY
    速度
    55 ： 55ns
    PKG材料
    - ：正常
    G：绿色，符合RoHS
    GRADE
    I: -40
    o
    C ~ +85
    o
    C
    包
    D： DICE
    E： TSOP - II
    H： BGA - 36-0608
    P： PDIP
    S： SOP
    ST ：小TSOP （采用8mm x 13.4毫米）
    T： TSOP （采用8mm x 20毫米）
    注意：
    百联半导体公司（ BSI）对于本文档中描述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI呢
    没有授权其产品使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期导致的任何应用程序
    在显著伤害或死亡，其中包括生命支持系统和关键医疗器械。
    n
    包装尺寸
    与电镀
    b
    c
    c1
    贱金属
    b1
    部分
    A-A
    SOP -32
    R0201-BH62UV4000
    8
    修订版1.2
    八月
    2006

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