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BH62UV4000STI55 参数 Datasheet PDF下载

BH62UV4000STI55图片预览
型号: BH62UV4000STI55
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 397 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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超低功耗/高速CMOS SRAM
512K ×8位
绿色包装材料,符合RoHS
BH62UV4000
n
特点
Ÿ
宽V
CC
低工作电压: 1.65V 〜 3.6V
Ÿ
超低功耗:
V
CC
= 3.6V
工作电流: 10毫安为55ns (最大)
2毫安(最大) ,以1MHz
待机电流: 2.0uA (典型值) ,在3.0V / 25
O
C
V
CC
= 1.2V
数据保持电流: 1.0uA 25
O
C
Ÿ
高速存取时间:
-55
55ns (最大)在V
CC
=1.65~3.6V
Ÿ
自动断电,当芯片被取消
Ÿ
易于扩展CE和OE选项
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作,没有时钟,没有刷新
Ÿ
数据保持电源电压低至1.0V
n
描述
该BH62UV4000是一款高性能,超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位, 524,288和
在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点,与典型工作电流
1.5毫安在1MHz为3.6V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
1.65V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
( CE)和低电平有效输出使能( OE )和三态输出
驱动程序。
该BH62UV4000具有自动断电功能,降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH62UV4000是DICE的形式提供, JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP , TSOP 400mil -II , 600mil塑料DIP ,
8mmx13.4mm STSOP , 8mmx20mm TSOP和36 - BGA球
封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BH62UV4000DI
BH62UV4000EI
BH62UV4000HI
BH62UV4000PI
BH62UV4000SI
BH62UV4000STI
BH62UV4000TI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
10uA
10uA
2mA
6mA
10mA
1.5mA
5mA
8mA
操作
温度
ICC待机
(I
CCSB1
,最大值)
国际刑事法院工作
(I
CC
,最大值)
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
1MHz
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
TSOP -II
BGA-36-0608
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
n
销刀豆网络gurations
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
BH62UV4000STI
BH62UV4000TI
1
2
A1
A11
A9
A8
A13
WE
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 4096
4096
3
NC
4
A3
5
A6
6
A8
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
BH62UV4000EI
8
BH62UV4000PI
9
BH62UV4000SI
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A
A0
B
DQ4
A2
WE
A4
A7
DQ0
C
DQ5
NC
A5
DQ1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
9
8
数据
产量
卜FF器
D
VSS
VCC
E
VCC
VSS
F
DQ6
A18
A17
DQ2
G
DQ7
OE
CE
A16
A15
DQ3
CE
WE
OE
V
CC
GND
控制
地址输入缓冲器
A18 A16 A15 A14 A0 A17 A3 A2 A1
H
A9
A10
A11
A12
A13
A14
36球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格,恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH62UV4000
1
修订版1.2
八月
2006