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    BH62UV8000 参数 Datasheet PDF下载

    BH62UV8000图片预览
    型号： BH62UV8000
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 127 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH62UV8000的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH62UV8000的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH62UV8000的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH62UV8000的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH62UV8000的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH62UV8000的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH62UV8000的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH62UV8000的Datasheet PDF文件第9页  
    BSI
    n
    AC电气特性（T
    A
    = -25℃到+ 85℃ ）
    写周期
    JEDEC
    参数
    名字
    PARANETER
    名字
    描述
    写周期时间
    地址建立时间
    地址有效到写结束
    片选写的结束
    把脉冲宽度
    写恢复时间
    写恢复时间
    写入输出高Z
    数据写入时间重叠
    从时间写数据保持
    输出禁止到输出中高Z
    写结束到输出有效
    （ CE1 ， WE）
    (CE2)
    70
    0
    50
    50
    35
    0
    0
    --
    30
    0
    --
    5
    O
    O
    BH62UV8000
    周期：为70ns
    分钟。
    典型值。
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    马克斯。
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    20
    --
    --
    25
    --
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    AVAX
    t
    AVWL
    t
    AVWH
    t
    ELWH
    t
    WLWH
    t
    WHAX
    t
    E2LAX
    t
    WLQZ
    t
    DVWH
    t
    WHDX
    t
    GHQZ
    t
    WHQX
    t
    WC
    t
    AS
    t
    AW
    t
    CW
    t
    WP
    t
    WR1
    t
    WR2
    t
    WHZ
    t
    DW
    t
    DH
    t
    OHZ
    t
    OW
    n
    开关波形（写周期）
    写周期1
    (1)
    t
    WC
    地址
    t
    WR1
    OE
    t
    CW
    CE1
    (5)
    (11)
    (3)
    CE2
    (5)
    t
    AW
    WE
    t
    AS
    t
    OHZ
    D
    OUT
    (4,10)
    t
    CW
    (11)
    t
    WR2
    (2)
    (3)
    t
    WP
    t
    DH
    t
    DW
    D
    IN
    R0201-BH62UV8000
    6
    修订版1.0
    七月
    2005

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