超低功耗/高速CMOS SRAM
1M ×8位
绿色包装材料，符合RoHS
BH62UV8001
n
特点
Ÿ
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 〜 3.6V
Ÿ
超低功耗：
V
CC
= 3.6V
工作电流： 12毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 2.5uA （典型值） ，在3.0V / 25
O
C
V
CC
= 1.2V
数据保持电流： 1.2uA （典型值），在25
O
C
Ÿ
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=1.65~3.6V
Ÿ
自动断电，当芯片被取消
Ÿ
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作，没有时钟，没有刷新
Ÿ
数据保持电源电压低至1.0V
n
描述
该BH62UV8001是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 1048576
并在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，与典型工作电流
1.5毫安在1MHz为3.6V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
1.65V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BH62UV8001具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH62UV8001是DICE的形式和48球BGA可用
封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BH62UV8001DI
BH62UV8001AI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
1MHz
V
CC
=3.6V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
骰子
15uA
12uA
2mA
6mA
12mA
1.5mA
5mA
8mA
BGA-48-0608
n
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
DQ0
VSS
VCC
DQ3
NC
A18
2
OE
NC
NC
DQ1
DQ2
NC
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
NC
DQ5
DQ6
NC
WE
A11
6
CE2
NC
DQ4
VCC
VSS
DQ7
NC
A19
n
框图
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 8192
8192
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
1024
列解码器
10
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
8
数据
产量
卜FF器
CE1
CE2
WE
OE
V
CC
GND
A19 A18 A17 A15 A14 A13 A16 A2 A1 A0
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH62UV8001
1
修订版1.1
五月
2006
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
