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BH62UV8001 参数 Datasheet PDF下载

BH62UV8001图片预览
型号: BH62UV8001
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 148 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH62UV8001
n
低V
CC
数据保存波形图( 2 ) ( CE2控制)
数据保持方式
V
CC
V
DR
≧1.0V
V
CC
V
CC
t
CDR
t
R
CE2≦0.2V
CE2
V
IL
V
IL
n
AC测试条件
(测试负载和输入/输出参考)
n
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
“H”
TO
“L”
可能改变
“L”
TO
“H”
不在乎
任何改变
许可
申请
输出
必须是
稳定
将改变
“H”
TO
“L”
将改变
“L”
TO
“H”
变化:
州UNKNOW
中心线
高Inpedance
“关”的
状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
参考电平
t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1
,
t
CHZ2
, t
OHZ
, t
WHZ
, t
OW
输出负载
OTHERS
V
CC
/ 0V
1V/ns
0.5Vcc
C
L
= 5pF的+ 1TTL
C
L
= 30pF的+ 1TTL
所有的输入脉冲
1 TTL
产量
C
L(1)
V
CC
GND
10%
90%
90%
10%
→ ←
上升时间:
1V/ns
→ ←
下降时间:
1V/ns
1.包括夹具和范围电容。
n
AC电气特性(T
A
= -40°C至+ 85°C )
读周期
JEDEC
参数
名字
PARANETER
名字
周期时间: 55ns
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
片选到输出低Z
输出使能到输出低Z
芯片选择到输出高Z
芯片选择到输出高Z
输出使能到输出高Z
从地址变化数据保持
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
分钟。
55
--
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
55
55
55
30
--
--
--
25
25
25
--
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
O
O
t
AVAX
t
AVQX
t
E1LQV
t
E2LQV
t
GLQV
t
E1LQX
t
E2LQX
t
GLQX
t
E1HQZ
t
E2HQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OHZ
t
OH
R0201-BH62UV8001
4
修订版1.1
五月
2006