BH62UV8001
n
引脚说明
名字
A0 - A19地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
功能
这20个地址输入选择在RAM中的1,048,576 ×8位之一
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
我们写使能输入
OE输出使能输入
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
I / O操作
高Z
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
X
H
L
X
高Z
D
OUT
D
IN
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
到4.6V
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
产业
环境
温度
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
1.65V ~ 3.6V
C
C
O
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
W
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
mA
C
IN
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒
R0201-BH62UV8001
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
修订版1.1
五月
2006
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
