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BS616LV1010FCG55 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1010FCG55图片预览
型号: BS616LV1010FCG55
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 164 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS616LV1611
n
订购信息
BS616LV1611
X
X
Z
YY
速度
55 : 55ns
70 :为70ns
PKG材料
- :正常
G:绿色,符合RoHS
P:无铅,符合RoHS要求
GRADE
C: +0
o
C ~ +70
o
C
I: -40
o
C ~ +85
o
C
F: BGA - 48-0912
T: TSOP I- 48
注意:
BSI (百联半导体公司)承担对本文所述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI呢
没有授权其产品使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期导致的任何应用程序
在显著伤害或死亡,其中包括生命支持系统和关键医疗器械。
n
包装尺寸
0.25±0.05
注意事项:
1:控制尺寸以毫米为单位。
2 : PIN # 1点阵打标用激光或移印。
3 : SYMBOL "N" IS焊球的数量。
1.4最大。
SIDE VIEW
D
3.375
0.1
N
48
D
12.0
E
9.0
D1
5.25
E1
3.75
e
0.75
D1
锡球0.35
±0.05
e
视图A
48微型BGA (9毫米x 12毫米)
2.625
E±0.1
E1
R0201-BS616LV1611
9
修订版2.3
五月。
2006