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BS616LV2019TIP70 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2019TIP70图片预览
型号: BS616LV2019TIP70
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 170 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS616LV2019
写周期2
(1,6)
t
WC
地址
t
CW
(11)
CE
(5)
CE2
(5,12)
LB , UB
(5)
t
BW
t
AW
(3)
WE
t
AS
t
WHZ
D
OUT
(4,10)
t
WP
(2)
t
WR
t
OW
t
DW
t
DH
(8,9)
(7)
(8)
D
IN
注意事项:
1.我们必须在地址转换高。
2.存储器的内部写入时间由CE的重叠和CE2活性和WE定义
低。所有的信号必须是活动的发起写任何一个信号可以终止的写
将无效。数据输入建立和保持时间应被引用到第二
因此终止了写入的信号的过渡边缘。
3. t
WR
从CE的早期测量或我们是否过高或CE2变低时写的结尾
周期。
4.在这期间, DQ引脚处于输出状态,使相对相位与输入信号
的输出不能被应用。
5.如果CE低电平的跳变或CE2高的转变同时发生的WE低
转换或在WE过渡后,输出保持在高阻抗状态。
6. OE连续低( OE = V
IL
).
7. D
OUT
是这个写周期写入数据的相位相同。
8. D
OUT
是下一个地址的读数据。
9.如果CE为低, CE2为高,在此期间, DQ引脚的输出状态。然后将数据
相位相反的输出的输入信号不能被应用于它们。
10.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证,但不是100 %测试。
11. t
CW
从CE变低或CE2变高到写的结束的后测。
12. 48B BGA忽略相关CE2这个参数。
R0201-BS616LV2019
8
修订版1.3
五月。
2006