BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
128K ×16位
描述
BS616LV2010
•极低的工作电压： 2.7 〜 3.6V
•极低的功耗：
VCC = 3.0V
C-等级： 25毫安（最大）工作电流
I级： 30毫安（最大）工作电流
0.15uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 3.0V
-10
为100ns （最大值）在Vcc = 3.0V
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
该BS616LV2010是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为131,072单词和
工作在广泛的2.7V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
的在3V操作70 / 100ns的0.15uA和最大访问时间。
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供
使能（ CE ） ，低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV2010具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2010可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II型封装。 48引脚TSOP I型封装， 48球
BGA封装。
产品系列
产品
家庭
BS616LV2010EC
BS616LV201 0EI
操作
温度
0 ℃〜 + 70℃
-40°C至+ 85°C
O
O
O
O
VCC
范围
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
速度
（纳秒）
Vcc=3.0V
功耗
待机
操作
( I
CCSB1
马克斯）
( I
CC
马克斯）
PKG型
Vcc=3.0V
Vcc=3.0V
70 / 100
70 / 100
8uA
12uA
25mA
30mA
TSOP2-44
TSOP2-44
销刀豆网络gurations
框图
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
A7
A6
A5
A4
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
BS616LV2010EC
BS616LV2010EI
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV2010
1
修订版2.2
四月。 2001年
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
