BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
128K ×16位
描述
BS616LV2011
•极低的工作电压： 2.4 〜 5.5V
•极低的功耗：
VCC = 3.0V
C-等级： 20毫安（最大）工作电流
I级： 25毫安（最大）工作电流
为0.1uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V
C-等级： 40毫安（最大）工作电流
我优级： 45毫安（最大）工作电流
0.6uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 3.0V
-10
为100ns （最大值）在Vcc = 3.0V
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
该BS616LV2011是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为131,072单词和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
的在3V操作70/ 100纳秒为0.1uA和最大访问时间。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE ） ，低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV2011具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2011可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II型封装， JEDEC标准的48引脚TSOP I型包
和48焊球BGA封装。
产品系列
产品
家庭
BS616LV2011DC
BS616LV2011EC
BS616LV2011TC
BS616LV2011AC
BS616LV2011DI
BS616LV2011EI
BS616LV2011TI
BS616LV2011AI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
VCC-
3.0V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
骰子
TSOP2-44
TSOP1-48
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
TSOP1-48
BGA-48-0608
VCC-
3.0V
0.7uA
VCC-
5.0V
6uA
VCC-
3.0V
20mA
VCC-
5.0V
40mA
+0
O
C至+70
O
C
2.4V ~ 5.5V
70/100
-40
O
C至+ 85
O
C
2.4V ~ 5.5V
70/100
1.5uA
25uA
25mA
45mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
BS616LV2011EC
BS616LV2011EI
1
2
3
A0
A3
A5
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
6
北卡罗来纳州
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
北卡罗来纳州
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
北卡罗来纳州
OE
UB
D10
D11
D12
D13
北卡罗来纳州
A8
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV2011
48球BGA俯视图
1
修订版2.5
2002年4月
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
