BSI
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
数据保持方式
BS616LV2013
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
Vcc/0V
5ns
0.5Vcc
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
1269
Ω
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
交流测试负载和波形
3.3V
产量
100PF
INCLUDING
夹具
范围
1269
Ω
3.3V
产量
可能改变
以L至H
5PF
1404
Ω
INCLUDING
夹具
范围
1404
Ω
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
,
图1A
戴维南等效
667
Ω
所有的输入脉冲
图1b
产量
1.73V
VCC
GND
10%
90% 90%
10%
→
←
→
←
5ns
图2
AC电气特性
（ TA = 0〜 + 70
o
C， VCC = 3.0V ）
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
数据字节控制到输出高Z
输出禁止到输出中高Z
输出禁止到地址变更
BS616LV2013-70
分钟。典型值。马克斯。
BS616LV2013-10
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
E1LQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
(1)
70
--
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
--
--
--
10
10
10
0
0
0
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
100
--
--
--
--
15
15
15
0
0
0
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
50
50
--
--
--
40
40
35
--
注意：
1. t
BA
是为35ns / 50ns的（ @ =速度为70ns / 100ns的）与地址切换。 ; .T
BA
是为70ns / 100ns的（ @ =速度为70ns / 100ns内）没有地址切换。
R0201-BS616LV2013
4
修订版2.5
2002年4月
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
