BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
128K ×16位
描述
BS616LV2018
•极低的工作电压： 2.4 〜 3.6V
•极低的功耗：
VCC = 3.0V
C-等级： 16毫安（最大）工作电流
我优级： 20毫安（最大）工作电流
为0.1uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 3.0V
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
该BS616LV2018是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为131,072单词和
工作在广泛的2.4V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在3V工作电压为70ns的为0.1uA和最大访问时间。
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供
使能（ CE ） ，低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV2018具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2018可在DICE的形式， JEDEC标准的48引脚
TSOP I型封装， 48焊球BGA封装。
产品系列
产品
家庭
BS616LV2018DC
BS616LV2018TC
BS616LV2018AC
BS616LV2018DI
BS616LV2018TI
BS616LV2018AI
-40
O
C至+ 85
O
C
2.4V ~3.6V
70
1.5
uA
20
mA
0
O
C至+70
O
C
70
0.7微安
16
mA
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
VCC-
3.0V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
Vcc=3.0V
(I
CC
，最大值）
Vcc=3.0V
PKG型
骰子
TSOP1-48
BGA-48-0608
骰子
TSOP1-48
BGA-48-0608
销刀豆网络gurations
1
2
3
4
5
6
框图
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
2048
数据
输入
卜FF器
16
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
OE
UB
D10
D11
D12
D13
A0
A3
A5
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
北卡罗来纳州
D0
D2
VCC
VSS
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
DQ0
16
列I / O
D14
D15
北卡罗来纳州
D6
D7
北卡罗来纳州
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
北卡罗来纳州
A8
CE
WE
OE
UB
控制
14
地址输入缓冲器
48球BGA俯视图
LB
VCC
GND
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV2018
1
2.0版
2002年4月
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
