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BS616LV2020AC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BS616LV2020AC
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 251 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
Vcc/0V
5ns
0.5Vcc
波形
BS616LV2020
关键开关波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
1269
输出
必须是
稳定
变化
从H到L
变化
以L至H
变化:
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
交流测试负载和波形
3.3V
产量
100PF
INCLUDING
夹具
范围
1269
3.3V
产量
可能改变
以L至H
不会在意:
任何改变
许可
申请
,
5PF
1404
INCLUDING
夹具
范围
1404
图1A
戴维南等效
667
所有的输入脉冲
图1b
产量
1.73V
VCC
GND
10%
90% 90%
10%
5ns
图2
AC电气特性
( TA = 0〜 + 70
o
C, VCC = 3.0V )
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
数据字节控制到输出高Z
输出禁止到输出中高Z
输出禁止到地址变更
(CE1,CE2)
( LB , UB )
(CE1,CE2)
( LB , UB )
(CE1)
(CE2)
( LB , UB )
BS616LV2020-70
分钟。典型值。马克斯。
BS616LV2020-10
分钟。典型值。马克斯。
单位
t
AVAX
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2LQV
t
BA
t
GLQV
t
ELQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
70
--
--
--
--
--
10
10
10
0
0
0
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
100
--
--
--
--
--
15
15
15
0
0
0
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
100
50
50
--
--
--
40
40
35
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
BA(1)
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
注意:
1. t
BA
是为35ns / 50ns的( @ =速度为70ns / 100ns的)与地址切换。
t
BA
是为70ns / 100ns的( @ =速度为70ns / 100ns内)没有地址切换。
R0201-BS616LV2020
6
修订版2.3
2002年4月