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BS616LV2020AI 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2020AI图片预览
型号: BS616LV2020AI
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 251 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
数据保持特性
( TA = 0〜 + 70
o
C )
符号
V
DR
BS616LV2020
测试条件
CE1
V
IN
CE1
V
IN
VCC - 0.2V或CE2
0.2V或
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
VCC - 0.2V或CE2
0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
参数
VCC为数据保留
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
--
0.1
5
uA
t
CDR
t
R
0
见保留波形
T
RC (2)
--
--
--
--
ns
ns
手术恢复时间
1. VCC = 1.5V ,T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
低V
CC
数据保存波形图( 1 )
( CE1控制)
数据保持方式
VCC
V
IH
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
CE1
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图( 2 )
( CE2控制)
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
0.2V
CE2
V
IL
V
IL
R0201-BS616LV2020
5
修订版2.3
2002年4月