BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
128K ×16或256K ×8位的转换的
描述
BS616LV2020
•极低的工作电压： 2.7 〜 3.6V
•极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 30毫安（最大）工作电流
我优级： 35毫安（最大）工作电流
电流降至0.5uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 3.0V
-10
为100ns （最大值）在Vcc = 3.0V
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
•I / O配置X8 / X16由CIO ， LB和UB引脚可选
该BS616LV2020是一款高性能，低功耗CMOS静态
由16位或组织为131,072字随机存取存储器
262,144字节由8位选择了CIO引脚和广泛的工作
范围2.7V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
对在3V工作70 / 100ns的0.5uA的和最大的访问时间。
轻松扩展内存由高电平芯片提供
ENABLE2 （ CE2 ） ，低电平有效的芯片ENABLE1 （ CE1 ） ，低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV2020具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2020是DICE的形式和48引脚BGA型可用。
产品系列
速度
（纳秒）
Vcc=3.0V
产品
家庭
BS616LV2020DC
BS616LV2020AC
BS616LV2020DI
BS616LV2020AI
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
骰子
BGA-48-0608
骰子
BGA-48-0608
Vcc=3.0V
Vcc=3.0V
70 / 100
70 / 100
8uA
12uA
30mA
35mA
引脚配置
框图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
2048
D0
16(8)
数据
输入
卜FF器
16(8)
列I / O
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
.
.
.
.
D15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
CIO
VDD
VSS
.
.
.
.
写入驱动器
16(8)
SENSE AMP
128(256)
列解码器
16(8)
数据
产量
卜FF器
14(16)
控制
地址输入缓冲器
A16 A0 A1 A2 A3 A4 A5
（ SAE）的
百联半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV2020
1
修订版2.3
2002年4月
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
