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    BS616LV4010EC 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV4010EC图片预览
    型号： BS616LV4010EC
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    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 228 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV4010EC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV4010EC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV4010EC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV4010EC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV4010EC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV4010EC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV4010EC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV4010EC的Datasheet PDF文件第10页  
    BSI
    包装尺寸（续）
    注意事项：
    BS616LV4010
    1：控制尺寸以毫米为单位。
    2 ： PIN ＃ 1点阵打标用激光或移印。
    3 ： SYMBOL "N" IS焊球的数量。
    1.4最大。
    球间距E = 0.75
    D
    8.0
    E
    6.0
    N
    48
    D1
    5.25
    E1
    3.75
    D1
    e
    视图A
    48微型BGA （6× 8毫米）
    0.05
    E1
    0.25
    注意事项：
    1：控制尺寸以毫米为单位。
    2 ： PIN ＃ 1点阵打标用激光或移印。
    3 ： SYMBOL "N" IS焊球的数量。
    1.4最大。
    SIDE VIEW
    D
    0.1
    D1
    N
    48
    D
    10.0
    E
    8.0
    D1
    5.25
    E1
    3.75
    e
    0.75
    锡球
    0.35
    0.05
    e
    E1
    视图A
    48微型BGA （8× 10毫米）
    R0201-BS616LV4010
    E
    0.1
    9
    修订版2.3
    四月。 2002年

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