BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
256K ×16位
描述
BS616LV4011
•极低的工作电压： 2.4 〜 5.5V
•极低的功耗：
VCC = 3.0V
C-等级： 20毫安（最大）工作电流
I级： 25毫安（最大）工作电流
0.25uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V
C-等级： 45毫安（最大）工作电流
I级： 50毫安（最大）工作电流
1.5uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 3.0V
-10
为100ns （最大值）在Vcc = 3.0V
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
该BS616LV4011是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为262144的单词和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
的在3V操作70 / 100ns的0.25uA和最大访问时间。
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供
使能（ CE ） ，低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV4011具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV4011可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II型封装， 48引脚BGA封装。
产品系列
产品
家庭
BS616LV4011DC
BS616LV4011EC
BS616LV4011BC
BS616LV4011AC
BS616LV4011DI
BS616LV4011EI
BS616LV4011BI
BS616LV4011AI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
VCC-
3.0V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0810
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0810
BGA-48-0608
VCC-
3.0V
1.5uA
VCC-
5.0V
15uA
VCC-
3.0V
20mA
VCC-
5.0V
45mA
0 ℃〜 + 70℃
O
O
2.4V ~ 5.5V
70/100
-40
O
C至+ 85
O
C
2.4V ~ 5.5V
70/100
3uA
50uA
25mA
50mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 2048
BS616LV4011EC
BS616LV4011EI
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV4011
1
修订版2.4
2002年4月
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
