BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
64K ×16位
BS616LV1011
•宽的Vcc工作电压： 2.4 〜 5.5V
•极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 22毫安（ @ 55ns ）工作电流
I-等级： 23毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 17毫安（ @为70ns ）工作电流
I-等级： 18毫安（ @为70ns ）工作电流
0.4uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 48毫安（ 55ns ）工作电流
I-等级： 50毫安（ 55ns ）工作电流
C-等级： 36毫安（为70ns ）工作电流
I-等级： 38毫安（为70ns ）工作电流
1.3uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
描述
该BS616LV1011是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为65,536字和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.4uA在3V / 25
o
55ns的3V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV1011具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV1011是JEDEC标准44引脚TSOP提供
II型和48引脚BGA封装。
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
(I
CC
，最大值）
产品系列
产品
家庭
BS616LV1011EC
BS616LV1011AC
BS616LV1011EI
BS616LV1011AI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
55ns ： 2.8 〜 5.5V
为70ns ： 2.5 〜 5.5V
PKG型
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
70ns
Vcc=3.0V
70ns
0 ℃〜 + 70℃
O
O
2.4V ~ 5.5V
55/70
4uA
1.3uA
36mA
17mA
TSOP2-44
BGA-48-0608
TSOP2-44
BGA-48-0608
-40°C至+ 85°C
O
O
2.4V ~ 5.5V
55/70
8uA
2.5uA
38mA
18mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
6
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
BS616LV1011EC
BS616LV1011EI
18
ROW
解码器
512
存储阵列
512 x 2048
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
2
3
4
5
A
LB
OE
A0
A1
A2
NC
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
B
IO8
UB
A3
A4
CE
IO0
C
IO9
IO10
A5
A6
IO1
IO2
CE
WE
OE
UB
LB
控制
14
地址输入缓冲器
D
VSS
IO11
NC
A7
IO3
VCC
E
VCC
IO12
NC
NC
IO4
VSS
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
F
IO14
IO13
A14
A15
IO5
IO6
VCC
GND
G
IO15
NC
A12
A13
WE
IO7
H
NC
A8
A9
A10
A11
NC
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV1011
1
修订版1.0
四月
2004
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
