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    BS616LV1012AIP55 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV1012AIP55图片预览
    型号： BS616LV1012AIP55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 262 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV1012AIP55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS616LV1012AIP55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV1012AIP55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV1012AIP55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV1012AIP55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV1012AIP55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV1012AIP55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV1012AIP55的Datasheet PDF文件第9页  
    BSI
    绝对最大额定值
    (1)
    符号
    V
    TERM
    V
    cc
    T
    BIAS
    T
    英镑
    P
    T
    I
    OUT
    参数
    与端电压
    对于GND
    电源电压
    在偏置温度
    储存温度
    功耗
    直流输出电流
    BS616LV1012
    工作范围
    单位
    V
    V
    O
    等级
    -0.5到
    Vcc+0.5
    -0.5到
    Vcc+0.5
    -40至+85
    -60到+150
    1.0
    20
    范围
    广告
    产业
    环境
    温度
    0
    O
    C至+70
    O
    C
    -40
    O
    C至+ 85
    O
    C
    VCC
    2.4V ~ 3.6V
    2.4V ~ 3.6V
    C
    C
    O
    W
    mA
    电容
    (1)
    （ TA = 25
    o
    C，F = 1.0兆赫）
    符号
    1.强调超过绝对最大上市
    额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
    值仅为该器件在功能操作
    或高于任何其他条件，在操作说明
    本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
    最大额定值条件下工作会影响
    可靠性。
    C
    IN
    C
    DQ
    参数
    输入
    电容
    输入/输出
    电容
    条件
    马克斯。
    单位
    V
    IN
    =0V
    V
    I / O
    =0V
    6
    8
    pF
    pF
    1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
    DC电气特性
    （ TA = -40
    o
    C至+ 85
    o
    C )
    参数
    名字
    V
    IL
    V
    IH
    I
    IL
    I
    LO
    V
    OL
    V
    OH
    I
    CC
    (6)
    参数
    保证输入低
    (2)
    电压
    保证输入高
    (3)
    电压
    输入漏电流
    输出漏电流
    输出低电压
    输出高电压
    工作电源
    当前
    待机电流-TTL
    测试条件
    Vcc=3.0V
    MIN 。 TYP 。
    -0.5
    2.0
    --
    --
    Vcc=3.0V
    (1)
    马克斯。
    0.8
    Vcc+0.3
    1
    1
    0.4
    --
    23
    18
    1
    2.5
    单位
    V
    V
    uA
    uA
    V
    V
    mA
    mA
    uA
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    0.4
    Vcc=3.0V
    VCC =最大，V
    IN
    = 0V至VCC
    VCC =最大， CE = V
    IH
    或OE = V
    IH
    ,
    V
    I / O
    = 0V至VCC
    VCC =最大，我
    OL
    = 2毫安
    VCC =最小，我
    OH
    = -1mA
    CE = V
    IL
    , I
    DQ
    = 0毫安，
    F =最大频率
    (4)
    --
    2.4
    --
    --
    --
    Vcc=3.0V
    55ns
    70ns
    Vcc=3.0V
    I
    CCSB
    (5)
    CE = V
    IH
    , I
    DQ
    = 0毫安
    CE
    ≧
    VCC -0.2V ，
    V
    IN
    ≧
    VCC - 0.2V或V
    IN
    ≦
    0.2V
    Vcc=3.0V
    I
    CCSB1
    待机电流CMOS
    Vcc=3.0V
    1.典型的特点是在TA = 25
    o
    C.
    3.过冲：如果脉冲宽度的VCC + 1.5V
    ≦20ns.
    5. I
    cc
    s
    B1_Max.
    为1.3uA在Vcc = 3.0V和T
    A
    =70
    o
    C.
    2.冲： -1.5V的情况下脉冲宽度的
    ≦20ns.
    4. f最大= 1 / T
    RC
    .
    6. I
    cc
    =最大。
    为22mA （ @ 55ns ） / 17毫安（ @为70ns ）在Vcc = 3.0V和TA = 0 〜 70
    o
    C.
    数据保持特性
    （ TA = -40
    o
    C至+ 85
    o
    C )
    符号
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR
    t
    R
    (3)
    参数
    VCC为数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据
    保留时间
    手术恢复时间
    测试条件
    CE
    ≧
    VCC - 0.2V
    V
    IN
    ≧
    VCC - 0.2V或V
    IN
    ≦
    0.2V
    CE
    ≧
    VCC - 0.2V
    V
    IN
    ≧
    VCC - 0.2V或V
    IN
    ≦
    0.2V
    见保留波形
    分钟。
    1.5
    --
    0
    T
    RC
    (2)
    典型值。
    (1)
    --
    0.15
    --
    --
    马克斯。
    --
    0.8
    --
    --
    单位
    V
    uA
    ns
    ns
    1. VCC = 1.5V ，T
    A
    = + 25
    O
    C
    2. t
    RC
    =读周期时间
    3. I
    cc
    DR_MAX 。
    是0.45uA在T
    A
    =70
    O
    C.
    R0201-BS616LV1012
    3
    修订版1.0
    四月
    2004

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