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BS616LV1622TCG55 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1622TCG55图片预览
型号: BS616LV1622TCG55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 258 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
真值表
模式
CE1
H
完全待机
X
输出禁用
L
L
H
H
H
X
CE2
X
X
X
X
X
X
L
从SRAM读
(字模式)
L
H
L
H
H
H
L
L
写入SRAM
(字模式)
L
H
X
L
H
H
L
从SRAM读
(字节模式)
写入SRAM
(字节模式)
L
H
L
H
L
X
X
X
H
L
L
H
L
L
X
A-1
X
X
X
OE
WE
CIO
LB
X
UB
X
X
SAE
BS616LV1622
D0~7
D8~15
VCC电流
高-Z
高-Z
I
CCSB
, I
CCSB1
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
X
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
X
DIN
DIN
高-Z
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
L
H
X
L
L
X
X
A-1
DIN
X
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
工作范围
单位
V
O
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0℃ 〜+ 70℃
-40
O
C至+ 85
O
C
O
O
VCC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
W
mA
电容
(1)
( TA = 25
o
C,F = 1.0兆赫)
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件,在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
10
12
pF
pF
1.此参数是保证,而不是100 %测试。
R0201-BS616LV1622
3
修订版2.1
一月
2004